半導體等離子去膠機是一種全新的高科技技術，利用等離子體來達到常規清洗方法無法達到的效果。可用于光刻膠灰化/殘膠去除和表面處理，該設備能在不破壞晶片和其他所用材料的外觀特性、熱力學特性和電氣特性的前提下，清洗和去除晶片表面的有害雜質，這對于通用性非常重要，半導體元件的穩定性和集成度。否則會對半導體元器件的性能指標造成嚴重的問題和干擾，嚴重影響產品合格率，阻礙半導體元器件的整體發展。

　　等離子去膠機主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達到去除物體表面污漬的目的。就反應機理來看，等離子體清洗通常包括以下過程：無機氣體被激發為等離子態；氣相物質被吸附在固體表面；被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；產物分子解析形成氣相；反應殘余物脫離表面。

　　半導體等離子去膠機頻率|真空度|功率|氧氣流量的調整

　　將待拆模插入石英舟內平行氣流方向推至真空室兩電極之間，抽真空至1.3Pa，引入適量氧氣，保持反應室壓力在1.3-13Pa，加高頻功率，電極間產生薰衣草輝光放電。通過調節功率、流量等工藝參數，可獲得不同的脫膠率。當去除膠膜時，輝光消失。

　　1、調整合適的頻率：

　　頻率越高，氧越容易電離形成等離子體。如果頻率過高，使電子振幅短于其平均自由程，電子與氣體分子碰撞的概率就會降低，導致電離率降低。通常，公共頻率為13.56MHz和2.45GHz。

　　2、調整合適的真空度：

　　適當的真空度可以使電子運動的平均自由程更大，因此從電場中獲得的能量更大，有利于電離。此外，當氧氣流量必須準時時，真空度越高，氧氣的相對份額越大，活性顆粒濃度越大。但如果真空度過高，活性粒子的濃度反而會降低。

　　3、調整適當的功率：

　　關于一定量的氣體，功率大，等離子體中活性粒子的密度也高，脫膠速度也快；但當功率增加到一定值時，響應消耗的活性離子達到飽和，脫膠速度隨功率的增加不明顯增加。由于功率大，襯底溫度高，需要根據技術要求調整功率。

　　4、氧氣流量的調整：

　　氧氣流量大，活性顆粒密度大，脫膠速率加快；但如果通量過大，離子的復合幾率增加，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。如果回轉室的壓力不變，流量增加，則還增加了被抽出的氣體量，也增加了不參與回轉的活性顆粒量，因此流量對脫膠率的影響不是很顯著。